| IRFS4010-7PPBF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IRFS4010-7PPBF |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK |
| quantità disponibile | 10665 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IRFS4010-7PPBF.pdf2.IRFS4010-7PPBF.pdf3.IRFS4010-7PPBF.pdf4.IRFS4010-7PPBF.pdf5.IRFS4010-7PPBF.pdf |
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| Informazioni tecniche di IRFS4010-7PPBF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IRFS4010-7PPBF | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK |
| Pacchetto / caso | D2PAK | quantità disponibile | 10665 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK |
| Serie | HEXFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 4mOhm @ 110A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 380W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9830 pF @ 50 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 190A (Tc) |
| IRFS4010-7PPBF Dettagli PDF [English] | IRFS4010-7PPBF PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
IRFS4010-7PPBF
Introduzione
MOSFET di potenza N-Channel ad alta potenza progettato per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.
Marca e Produttore
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caratteristiche
Tecnologia MOSFET N-Channel, alta corrente continua di drenaggio di 190A, bassa resistenza in conduzione di 4 mOhm, alta efficienza di carica del gate.
Prestazioni del Prodotto
Operativo tra -55°C e 175°C, potenza massima dissipata di 380W, alta tensione di drenaggio a sorgente di 100V.
Specifiche Tecniche
Tipo di FET: N-Channel, Rds On: 4 mOhm @ 110A, 10V, Vgs(th) Max @ Id: 4V @ 250µA, Carica del Gate (Qg) Max @ Vgs: 230nC @ 10V, Capacità di Ingresso (Ciss) Max @ Vds: 9830pF @ 50V.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Imballato in un tubo, formato TO-263-7, D2PAK (6 contatti + Tab), fattore di forma TO-263CB.
Qualità e Affidabilità
Progettato per alta affidabilità e prestazioni robuste in ambienti impegnativi.
Vantaggi del Prodotto
Eccellente prestazione termica, capacità di gestione della potenza migliorata.
Competitività del Prodotto
Ottimizzato per applicazioni di potenza ad alta efficienza.
Compatibilità
Compatibile con la tecnologia di montaggio superficiale per una facile integrazione in vari progetti di circuiti.
Certificazione e Conformità ai Standard
Conforme agli standard di settore per i componenti elettronici.
Durata e Sostenibilità
Costruito per resistere a lunghi periodi operativi in condizioni rigorose.
Campi di Applicazione Effettivi
Adatto per applicazioni di alimentazione, convertitori DC-DC e azionamenti di motori, tra gli altri.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IRFS4010-7PPBF online.
| Azione IRFS4010-7PPBF | Prezzo IRFS4010-7PPBF | Elettronica IRFS4010-7PPBF | |||
| Componenti IRFS4010-7PPBF | Inventario IRFS4010-7PPBF | IRFS4010-7PPBF Digikey | |||
| Fornitore IRFS4010-7PPBF | Ordina IRFS4010-7PPBF online | Inchiesta IRFS4010-7PPBF | |||
| Immagine IRFS4010-7PPBF | Immagine IRFS4010-7PPBF | IRFS4010-7PPBF PDF | |||
| Datasheet IRFS4010-7PPBF | Scarica la scheda tecnica IRFS4010-7PPBF | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per IRFS4010-7PPBF | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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IRFS4010TRL7PP | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS4010TRL7 | INFINEON | |||
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IRFS4010-7PPBF IC | IR TO-263 | IR | ||
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IRFS38N20DPBF | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS4010TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS38N20DTRPBF | IRFS38N20DTRPBF IR | IR | ||
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IRFS4010 | IRFS4010 IR | IR | ||
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IRFS38N20DPBF MOS | IR TO-263 | IR | ||
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IRFS4010PBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS4020PBF | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS4010TRR | IRFS4010TRR IR | IR | ||
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IRFS4010PBF IC | IR TO263 | IR | ||
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IRFS4010TRRPBF | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||
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IRFS4010-7P | IRFS4010-7P IR | IR | ||
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IRFS38N20DTRRP | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS38N20DTR | IR TO-263-2 | IR | ||
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IRFS38N20DTRLP | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IRFS4010TRL | IR | |||
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IRFS38N20DTRLP MOS | IR TO263 | IR | ||
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IRFS38N20DTRLPBF | IRFS38N20DTRLPBF IOR | IOR | ||
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