| IRL3716LPBF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IRL3716LPBF |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 180A TO262 |
| quantità disponibile | 6588 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IRL3716LPBF.pdf2.IRL3716LPBF.pdf |
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| IRL3716LPBF Price |
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| Informazioni tecniche di IRL3716LPBF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IRL3716LPBF | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 20V 180A TO262 |
| Pacchetto / caso | TO-262 | quantità disponibile | 6588 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 |
| Serie | HEXFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 4mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5090 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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