| ISP12DP06NMXTSA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | ISP12DP06NMXTSA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| quantità disponibile | 756 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.ISP12DP06NMXTSA1.pdf2.ISP12DP06NMXTSA1.pdf3.ISP12DP06NMXTSA1.pdf4.ISP12DP06NMXTSA1.pdf |
| ISP12DP06NMXTSA1 Price |
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| Informazioni tecniche di ISP12DP06NMXTSA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | ISP12DP06NMXTSA1 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
| Pacchetto / caso | PG-SOT223-4 | quantità disponibile | 756 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 520µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | ISP12DP06 |
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| Azione ISP12DP06NMXTSA1 | Prezzo ISP12DP06NMXTSA1 | Elettronica ISP12DP06NMXTSA1 | |||
| Componenti ISP12DP06NMXTSA1 | Inventario ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 Digikey | |||
| Fornitore ISP12DP06NMXTSA1 | Ordina ISP12DP06NMXTSA1 online | Inchiesta ISP12DP06NMXTSA1 | |||
| Immagine ISP12DP06NMXTSA1 | Immagine ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 PDF | |||
| Datasheet ISP12DP06NMXTSA1 | Scarica la scheda tecnica ISP12DP06NMXTSA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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