| SPA11N80C3 | |
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| Modello di prodotti | SPA11N80C3 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
| quantità disponibile | 9200 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| SPA11N80C3 Price |
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| Informazioni tecniche di SPA11N80C3 | |||
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| codice articolo del costruttore | SPA11N80C3 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | SPA11N80C3 Infineon Technologies |
| Pacchetto / caso | TO220F | quantità disponibile | 9200 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 800V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| SPA11N80C3 Dettagli PDF [English] | SPA11N80C3 PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
SPA11N80C3
Introduzione
MOSFET N-Channel ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
Marca e Produttore
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caratteristiche
Tecnologia CoolMOS per ridurre le perdite energetiche. Alta tensione di rottura (800V). Bassa resistenza on (450 mOhm). Imballaggio a foro passante per un montaggio facile. Adatto per operazioni ad alta temperatura fino a 150°C.
Prestazioni del Prodotto
Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 11A a 25°C. Supporta una tensione gate-source fino a ±20V. Presenta una dissipazione di potenza massima di 34W. Funziona in modo efficiente con una carica del gate di 85nC a 10V.
Specifiche Tecniche
Tipo FET: MOSFET N-Channel. Tensione Drenaggio-Sorgente (Vdss): 800V. Corrente - Drenaggio Continuo (Id) a 25°C: 11A. Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm a 7.1A, 10V. Carica del Gate (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC a 10V. Capacitance d'ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF a 100V. Tensione di guida (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto / Caso: TO-220-3 Full Pack. Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP. Imballaggio standard a tubo per una manipolazione e stoccaggio sicuri.
Qualità e Affidabilità
Progettato per rispettare rigorosi standard di qualità e affidabilità negli ambienti industriali. Gestione termica robusta per una durata prolungata.
Vantaggi del Prodotto
L'alta capacità di tensione e l'efficienza energetica migliorano le prestazioni complessive del sistema. Design robusto adatto per applicazioni impegnative.
Competitività del Prodotto
Posizionato competitivamente nel mercato dei MOSFET ad alta tensione. Offre vantaggi nelle prestazioni rispetto a prodotti simili in termini di efficienza e gestione termica.
Compatibilità
Compatibile con le tecniche di montaggio standard a foro passante. Funziona con tensioni tipiche di attivazione del gate utilizzate nelle applicazioni ad alta potenza.
Certificazione e Conformità ai Standard
Rispetta specifiche standard di settore per sicurezza e prestazioni.
Durata e Sostenibilità
Progettato per un'affidabilità a lungo termine in condizioni di alta sollecitazione. Supporta operazioni sostenibili grazie a prestazioni energetiche efficienti.
Campi di Applicazione Effettivi
Ampiamente utilizzato in alimentatori, inverter e regolatori di commutazione. Adatto per applicazioni che richiedono alta tensione e gestione della potenza, come azionamenti industriali e inverter solari.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SPA11N80C3 online.
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| Immagine SPA11N80C3 | Immagine SPA11N80C3 | SPA11N80C3 PDF |
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