IXFC12N80P
Modello di prodotti IXFC12N80P
fabbricante IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
quantità disponibile 2612 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di IXFC12N80P
codice articolo del costruttore IXFC12N80P Categoria  
fabbricante IXYS / Littelfuse Descrizione MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Pacchetto / caso ISOPLUS220™ quantità disponibile 2612 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 2.5mA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS220™
Serie HiPerFET™, PolarHT™ Rds On (max) a Id, Vgs 930mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) Contenitore / involucro ISOPLUS220™
Pacchetto Tube temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Numero di prodotto di base IXFC12N80  
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