| IXFQ24N50P2 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IXFQ24N50P2 |
| fabbricante | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| quantità disponibile | 2659 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IXFQ24N50P2.pdf2.IXFQ24N50P2.pdf |
| IXFQ24N50P2 Price |
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| Informazioni tecniche di IXFQ24N50P2 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IXFQ24N50P2 | Categoria | |
| fabbricante | IXYS / Littelfuse | Descrizione | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P | quantità disponibile | 2659 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P |
| Serie | HiPerFET™, PolarP2™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 270mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | IXFQ24 | ||
| Scaricare | IXFQ24N50P2 PDF - EN.pdf | ||
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| Datasheet IXFQ24N50P2 | Scarica la scheda tecnica IXFQ24N50P2 | Produttore IXYS / Littelfuse | |||
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