IXFR34N80
Modello di prodotti IXFR34N80
fabbricante IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di IXFR34N80
codice articolo del costruttore IXFR34N80 Categoria  
fabbricante IXYS / Littelfuse Descrizione MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Pacchetto / caso ISOPLUS247™ quantità disponibile 3099 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™
Serie HiPerFET™ Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 416W (Tc) Contenitore / involucro TO-247-3
Pacchetto Tube temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Numero di prodotto di base IXFR34  
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