MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | |
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Modello di prodotti | MT29F1T08CUCCBH8-6C:C |
fabbricante | Micron Technology Inc. |
Descrizione | IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA |
quantità disponibile | 2520 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.MT29F1T08CUCCBH8-6C:C.pdf2.MT29F1T08CUCCBH8-6C:C.pdf3.MT29F1T08CUCCBH8-6C:C.pdf |
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C Price |
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Informazioni tecniche di MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | |||
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codice articolo del costruttore | MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
fabbricante | Micron Technology | Descrizione | IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA |
Pacchetto / caso | 152-LBGA (14x18) | quantità disponibile | 2520 pcs |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - | Tensione di alimentazione - | 2.7V ~ 3.6V |
Tecnologia | FLASH - NAND | Contenitore dispositivo fornitore | 152-LBGA (14x18) |
Serie | - | Contenitore / involucro | 152-LBGA |
Pacchetto | Tray | temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Tipo di memoria | Non-Volatile |
Dimensione della memoria | 1Tbit | Organizzazione di memoria | 128G x 8 |
Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | FLASH |
Frequenza dell'orologio | 167 MHz | Numero di prodotto di base | MT29F1T08 |
Scaricare | MT29F1T08CUCCBH8-6C:C PDF - EN.pdf |
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C
Chip di memoria FLASH da 1Tbit progettato per alta capacità di archiviazione e velocità.
Micron Technology
Soluzione di archiviazione ad alta densità; Tecnologia NAND non volatile; Interfaccia di memoria parallela.
Funziona a una frequenza di clock di 167 MHz; Supporta un ampio intervallo di tensioni da 2,7V a 3,6V; Adatto per temperature da 0°C a 70°C.
Dimensione della memoria: 1Tbit; Organizzazione della memoria: 128G x 8; Interfaccia di memoria: Parallela.
Pacchetto 152-LBGA; Dimensioni specificamente progettate per la tecnologia di montaggio superficiale.
Progettato per prestazioni stabili in un intervallo di temperatura di funzionamento standard.
Elevata capacità di archiviazione della memoria; Affidabile retention dei dati non volatili.
Posizionato in modo competitivo nei segmenti di memoria ad alta capacità.
Compatibile con dispositivi che richiedono memoria ad alta densità con interfaccia parallela.
Conforme agli standard del settore per i chip di memoria.
Progettato per una lunga durata e prestazioni affidabili durante i cicli di vita tipici della NAND.
Utilizzato in elettronica di consumo, centri dati, applicazioni di calcolo ad alte prestazioni.
Azione MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Prezzo MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Elettronica MT29F1T08CUCCBH8-6C:C |
Componenti MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Inventario MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | MT29F1T08CUCCBH8-6C:C Digikey |
Fornitore MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Ordina MT29F1T08CUCCBH8-6C:C online | Inchiesta MT29F1T08CUCCBH8-6C:C |
Immagine MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Immagine MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | MT29F1T08CUCCBH8-6C:C PDF |
Datasheet MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Scarica la scheda tecnica MT29F1T08CUCCBH8-6C:C | Produttore Micron Technology |