Modello del Prodotto

K4N1G164QQ-HC25

Introduzione

Samsung Semiconductor DDR SDRAM

Marca e Produttore

Samsung

Caratteristiche

Elevati tassi di trasferimento dati, basso consumo energetico, privo di piombo e conforme RoHS, latenza CAS programmabile, lunghezza burst e sequenza di wrap.

Prestazioni del Prodotto

Operazione stabile in condizioni estreme, prestazioni di lettura/scrittura coerenti, ideale per ambienti multitasking.

Specifiche Tecniche

Densità di 1Gbit, tasso di dati: DDR, pacchetto: FBGA-ball.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Fattore di forma compatto, pacchetto Ball Grid Array (BGA), dimensioni IC standardizzate secondo le specifiche Samsung.

Qualità e Affidabilità

Altamente affidabile in una gamma di condizioni ambientali, testato per la longevità.

Vantaggi del Prodotto

Ottimizzato per applicazioni di memoria ad alta velocità, supportato dalla reputazione di qualità di Samsung.

Competitività del Prodotto

Prezzi competitivi sul mercato, offre un vantaggio tecnologico rispetto a circuiti integrati di memoria simili.

Compatibilità

Progettato per ampia compatibilità con schede madri e altri circuiti integrati.

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta gli standard del settore per DDR SDRAM, certificato da enti normativi di IC standard.

Durata e Sostenibilità

Lunga durata operativa, soddisfa i requisiti di eco-design.

Campi di Applicazione Effettivi

Calcolo, moduli di memoria ad alte prestazioni, elettronica di consumo.

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