Modello del Prodotto

K4T51163QN-BCE7

Introduzione

IC di memoria DDR2 SDRAM

Marca e Produttore

Samsung Semiconductor

Caratteristiche

Alta velocità di trasferimento dati, basso consumo energetico, caratteristiche avanzate di integrità dei dati, supporto per più banche di memoria

Prestazioni del Prodotto

Frequenza a 800MHz, velocità di trasmissione dati di 1600 Mbps, bassa latenza CL

Specifiche Tecniche

Configurazione 512M x 16 bit, tensione di alimentazione 1.8V, confezione 84-ball FBGA

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Ball Grid Array (BGA), dimensioni confezione: 8x12.5x1.2 mm, imballato in scatole

Qualità e Affidabilità

Alta durabilità durante operazioni prolungate, conforme ai test di affidabilità standard dell'industria

Vantaggi del Prodotto

Gestione efficiente dell'energia, tolleranza termica robusta

Competitività del Prodotto

Altamente competitivo nei dispositivi elettronici di fascia media

Compatibilità

Compatibile con le interfacce DDR2 standard, supporta configurazioni conformi allo standard JEDEC

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme allo standard JEDEC, conforme a RoHS

Durata e Sostenibilità

Vita operativa tipica di 10 anni in condizioni normali, utilizzo di materiali e processi di produzione ecologici

Campi di Applicazione Effettivi

Elettronica di consumo, dispositivi di calcolo, applicazioni digitali multimediali, sistemi embedded

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