K4W1G1646E-HC15
Modello di prodotti K4W1G1646E-HC15
fabbricante SAMSUNG
Descrizione SAMSUNG BGA
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di K4W1G1646E-HC15
codice articolo del costruttore K4W1G1646E-HC15 Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante Samsung Semiconductor Descrizione SAMSUNG BGA
Pacchetto / caso BGA quantità disponibile 1569 pcs
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Modello del Prodotto

K4W1G1646E-HC15

Introduzione

Memoria IC DDR3 SDRAM

Marca e Produttore

Samsung Semiconductor

Caratteristiche

Trasferimento dati ad alta velocità, funzionamento a bassa tensione, DRAM sincrono ad alta velocità, 8 banchi interni per operazioni concorrenti

Prestazioni del Prodotto

Tassi di dati fino a 1866 Mt/s, latenza CAS 15 (CL15), strobe dati differenziali duali

Specifiche Tecniche

Dimensione della memoria: 1Gb, tipo di memoria: DDR3 SDRAM, frequenza di clock: fino a 933 MHz, tensione I/O: 1.5V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballaggio in Fine Ball Grid Array (FBGA)

Qualità e Affidabilità

Ampio intervallo di temperatura, conformità agli standard JEDEC

Vantaggi del Prodotto

Efficienza energetica, alta larghezza di banda dati, tecnologia stabile e provata

Competitività del Prodotto

Marchio rinomato, ampiamente utilizzato nell'industria, buon rapporto qualità-prezzo

Compatibilità

Compatibile con slot DDR3 SDRAM standard, ideale per applicazioni PC e server

Certificazione e Conformità ai Standard

Conformità agli standard JEDEC, conformità RoHS

Durata e Sostenibilità

Lunga vita operativa, realizzato con materiali durevoli

Campi di Applicazione Effettivi

Calcolo personale, server, sistemi di calcolo ad alte prestazioni, attrezzature di rete

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