Modello del Prodotto

KLUDG8V1EE-B0C1

Introduzione

IC di memoria ad alte prestazioni

Marca e Produttore

Samsung Semiconductor

Caratteristiche

Livellamento avanzato dell'usura, elevate capacità di lettura/scrittura, basso consumo energetico, fattore di forma compatto, maggiore retention dei dati

Prestazioni del Prodotto

Prestazioni I/O superiori, robusto codice di correzione degli errori (ECC), durata per operazioni continue

Specifiche Tecniche

Tipo NAND: V-NAND, Interfaccia: UFS 3.1, Opzioni di capacità della memoria

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Chip integrato di piccole dimensioni, imballaggio industriale standard, compatibile con tecnologia di montaggio superficiale (SMT)

Qualità e Affidabilità

Processi rigorosi di controllo qualità, alta MTBF (Mean Time Between Failures), resistente a fattori di stress ambientali

Vantaggi del Prodotto

Maggiore reattività del sistema, adatto per applicazioni ad alta densità, ottimizzato per il multitasking

Competitività del Prodotto

Compete in velocità e affidabilità, leader di mercato nella tecnologia NAND, avvantaggiato in efficienza energetica

Compatibilità

Ampia compatibilità con i dispositivi, conformità agli standard delle interfacce industriali

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta gli standard JEDEC, conforme alle direttive ambientali RoHS e altre

Durata e Sostenibilità

Lunga durata operativa, processo di produzione ecologico

Campi di Applicazione Effettivi

Dispositivi mobili, calcolo ad alte prestazioni, industria automobilistica, soluzioni di archiviazione per aziende

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