Modello del Prodotto

K2698

Introduzione

Transistor a effetto di campo tipo MOS a canale N in silicio

Marca e Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Caratteristiche

Applicazioni ad alta velocità di commutazione, bassa resistenza ON, bassa potenza di pilotaggio

Prestazioni del Prodotto

Controllo ad alta tensione, velocità di commutazione veloce, ottimale per amplificatori di potenza ad alta frequenza

Specifiche Tecniche

Tensione di drain-source (VDSS) 900V, tensione di gate-source (VGSS) ±30V, corrente continua di drain (ID) 5A, dissipazione di potenza nel drain (PD) 100W

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Contenitore TO-3P, senza piombo, conforme RoHS, confezione a tubo

Qualità e Affidabilità

Qualità comprovata Toshiba, lunga durata operativa, tasso di guasto conforme agli standard industriali

Vantaggi del Prodotto

Adatto per applicazioni ad alta tensione, prestazioni energeticamente efficienti

Competitività del Prodotto

Semiconduttore ad alta affidabilità, competitivo nei circuiti di commutazione ad alta tensione

Compatibilità

Compatibile con circuiti standard attivati da MOSFET

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme RoHS, soddisfa gli standard JEDEC

Durata e Sostenibilità

Costruzione durevole per lunga durata, materiali ecocompatibili senza piombo

Campi di Applicazione Effettivi

Alimentatori, controlli motore, applicazioni di commutazione, inverter ad alta tensione

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