TK10A55D(STA4,Q,M)
Modello di prodotti TK10A55D(STA4,Q,M)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
quantità disponibile 2517 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di TK10A55D(STA4,Q,M)
codice articolo del costruttore TK10A55D(STA4,Q,M) Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
Pacchetto / caso TO-220SIS quantità disponibile 2517 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS
Serie π-MOSVII Rds On (max) a Id, Vgs 720mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Tube temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 550 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Numero di prodotto di base TK10A55  
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