| IRF630PBF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IRF630PBF |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| quantità disponibile | 5557 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IRF630PBF.pdf2.IRF630PBF.pdf3.IRF630PBF.pdf |
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| IRF630PBF Price |
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| Informazioni tecniche di IRF630PBF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IRF630PBF | Categoria | |
| fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220AB | quantità disponibile | 5557 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | IRF630 | IRF630PBF Dettagli PDF [English] | IRF630PBF PDF - EN.pdf |
| Scaricare | IRF630PBF Dettagli PDF | ||
Modello del Prodotto
IRF630PBF
Introduzione
MOSFET N-Channel per interruttori e amplificazione
Marca e Produttore
Vishay Siliconix
Caratteristiche
Modalità di potenziamento N-Channel, elevata capacità di tensione, alta velocità di commutazione, facilità di parallelamento, bassa potenza di pilotaggio necessaria
Prestazioni del Prodotto
Elevata capacità di gestione della corrente, basso Rds(on) che migliora l'efficienza, elevate prestazioni termiche
Specifiche Tecniche
Tecnologia MOSFET, tensione Drain to Source di 200V, corrente continua di Drain di 9A, dissipazione di potenza di 74W, Rds(on) di 400 mOhm, carica del gate di 43nC
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Confezione TO-220AB, montaggio a foro passante, confezionamento a tubo
Qualità e Affidabilità
Senza piombo / Conformità RoHS, adatto per applicazioni commerciali, in grado di resistere ad ambienti termici severi
Vantaggi del Prodotto
Efficiente dal punto di vista energetico, robusto contro i sovraccarichi, facile da implementare in vari circuiti
Competitività del Prodotto
Prezzi competitivi nel mercato dei MOSFET N-Channel, marchio ampiamente riconosciuto e reputato
Compatibilità
Compatibile a foro passante con PCB standard, adatto per un'ampia gamma di applicazioni elettroniche
Certificazione e Conformità ai Standard
Conformità RoHS che garantisce la sicurezza ambientale
Durata e Sostenibilità
Lunga durata con uso corretto, componente sostenibile con certificazione senza piombo
Campi di Applicazione Effettivi
Unità di alimentazione, controlli per motori, inverter, sistemi di illuminazione, elettronica di consumo
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| Azione IRF630PBF | Prezzo IRF630PBF | Elettronica IRF630PBF | |||
| Componenti IRF630PBF | Inventario IRF630PBF | IRF630PBF Digikey | |||
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| Immagine IRF630PBF | Immagine IRF630PBF | IRF630PBF PDF | |||
| Datasheet IRF630PBF | Scarica la scheda tecnica IRF630PBF | Produttore Vishay / Siliconix | |||
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