| SI4850EY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SI4850EY-T1-GE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 6A 8SO |
| quantità disponibile | 7000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SI4850EY-T1-GE3.pdf2.SI4850EY-T1-GE3.pdf |
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| SI4850EY-T1-GE3 Price |
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| Informazioni tecniche di SI4850EY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI4850EY-T1-GE3 | Categoria | |
| fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 60V 6A 8SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC | quantità disponibile | 7000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) | Numero di prodotto di base | SI4850 |
| SI4850EY-T1-GE3 Dettagli PDF [English] | SI4850EY-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
SI4850EY-T1-GE3
Introduzione
MOSFET N-Channel ad alte prestazioni progettato per applicazioni di gestione dell'energia
Marca e Produttore
Vishay / Siliconix
Caratteristiche
Tecnologia TrenchFET N-Channel, confezione per montaggio superficiale, opera in modo efficiente ad alte temperature, bassa resistenza in conduzione per un'efficace conduzione, adatto per commutazione ad alta frequenza
Prestazioni del Prodotto
Capace di operare a temperature da -55°C a 175°C, supporta tensione da drain a source fino a 60V, corrente di drain continua di 6A a 25°C, dissipatione di potenza fino a 1.7W
Specifiche Tecniche
Tecnologia MOSFET, confezione 8-SOIC, tensione da drain a source (Vdss) di 60V, corrente di drain continua (Id) di 6A, Rds On (Max) di 22 mOhm a 6A e 10V, carica del gate (Qg) di 27nC a 10V, tensioni di pilotaggio tra 4.5V e 10V
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Confezione 8-SOIC con dimensioni di 0.154" (3.90mm di larghezza), confezionato in Tape & Reel (TR) per assemblaggio automatizzato
Qualità e Affidabilità
Alta affidabilità in condizioni estreme, progettato per una lunga durata operativa
Vantaggi del Prodotto
Gestione dell'energia efficiente, elevate capacità di gestione di corrente e tensione, bassa resistenza termica
Competitività del Prodotto
Competitivo nella gestione dell'energia e nell'efficienza, ideale per progetti di circuiti densi grazie al suo fattore di forma compatto
Compatibilità
Compatibile con i processi di montaggio superficiale standard
Certificazione e Conformità ai Standard
Rispetta le specifiche degli standard industriali per dispositivi MOSFET
Durata e Sostenibilità
Design durevole che supporta una lunga durata sotto condizioni operative specificate
Campi di Applicazione Effettivi
Utilizzato in alimentatori, convertitori e azionamenti di motori, applicabile in apparecchiature informatiche e di telecomunicazione, adatto per elettronica automobilistica e sistemi di gestione delle batterie
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| Azione SI4850EY-T1-GE3 | Prezzo SI4850EY-T1-GE3 | Elettronica SI4850EY-T1-GE3 | |||
| Componenti SI4850EY-T1-GE3 | Inventario SI4850EY-T1-GE3 | SI4850EY-T1-GE3 Digikey | |||
| Fornitore SI4850EY-T1-GE3 | Ordina SI4850EY-T1-GE3 online | Inchiesta SI4850EY-T1-GE3 | |||
| Immagine SI4850EY-T1-GE3 | Immagine SI4850EY-T1-GE3 | SI4850EY-T1-GE3 PDF | |||
| Datasheet SI4850EY-T1-GE3 | Scarica la scheda tecnica SI4850EY-T1-GE3 | Produttore Vishay / Siliconix | |||
| Parti correlate per SI4850EY-T1-GE3 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI4850EY-T1 | MOSFET N-CH 60V 6A 8SO | Vishay Siliconix | ||
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SI4856ADY | SI4856ADY VISHAY | VISHAY | ||
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SI4850EY-T1-E | VISHAY | |||
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SI4850EY-T1 | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4850EY-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 6A 8SO | Vishay Siliconix | ||
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SI4850EY | SI4850EY VIS | VIS | ||
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SI4850EY-TI-E3 | VISHAY SOP-8 | VISHAY | ||
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SI4856A | SI4856A SI | SI | ||
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SI4850PDY-T1-E3 | VISHAY SOP8 | VISHAY | ||
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SI4854DY-T1-E3 MOS | VBSEMI SO-8 | VBSEMI | ||
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SI4850EY-E3 | VISHAY 2010+RoHS | VISHAY | ||
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SI4850EY-T1-GE3 IC | VISHAY SOP-8 | VISHAY | ||
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SI4854DY-T1-E3 | SI4854DY-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI4856ADY-T1 | SI4856ADY-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SI4852DY-T1-E3 | SI4852DY-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
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SI4850EY-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4850EY-T-G3 | VISHAT | |||
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SI4850EY-T1-E3 MOS | VISHAY SOP8 | VISHAY | ||
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SI4850EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4850EY-T1/SI4850EY-T1-E3 | SI4850EY-T1/SI4850EY-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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