| SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SI7460DP-T1-E3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| quantità disponibile | 7442 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
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| SI7460DP-T1-E3 Price |
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| Informazioni tecniche di SI7460DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI7460DP-T1-E3 | Categoria | |
| fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 | quantità disponibile | 7442 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | Numero di prodotto di base | SI7460 |
| SI7460DP-T1-E3 Dettagli PDF [English] | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
SI7460DP-T1-E3
Introduzione
PowerPAK SO-8 N-Channel MOSFET Vishay Siliconix
Marca e Produttore
Vishay / Siliconix
Caratteristiche
Tecnologia N-Channel TrenchFET, alta efficienza grazie a bassa resistenza in conduzione, densità di potenza migliorata
Prestazioni del Prodotto
Funziona a temperature comprese tra -55°C e 150°C, capacità di corrente di drenaggio continua di 11A a 25°C, dissipazione di potenza di 1,9W a temperatura ambiente
Specifiche Tecniche
Tensione di drenaggio a sorgente (Vdss) di 60V, tensione di soglia gate-sorgente (Vgs(th)) massima 3V a 250µA, resistenza in conduzione statica drenaggio-sorgente (Rds On) di 9,6 mOhm a 18A, 10V
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto PowerPAK SO-8, fornito in nastro e bobina (TR) per assemblaggio automatizzato
Qualità e Affidabilità
Privo di piombo e conforme RoHS, progettato per prestazioni costanti e alta affidabilità
Vantaggi del Prodotto
Bassa resistenza termica, adatto per applicazioni ad alta densità di potenza
Competitività del Prodotto
Competitivo nelle applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza
Compatibilità
Compatibile con processi di assemblaggio automatizzati, compatibile con tecnologia di montaggio superficiale
Certificazione e Conformità ai Standard
Privo di piombo e conforme RoHS, garantisce conformità agli standard ambientali e di salute
Durata e Sostenibilità
Duabile con lunga vita operativa in condizioni specificate
Campi di Applicazione Effettivi
Alimentazione, gestione dell'energia, convertitori DC-DC, applicazioni di commutazione
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| Azione SI7460DP-T1-E3 | Prezzo SI7460DP-T1-E3 | Elettronica SI7460DP-T1-E3 | |||
| Componenti SI7460DP-T1-E3 | Inventario SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
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| Immagine SI7460DP-T1-E3 | Immagine SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
| Datasheet SI7460DP-T1-E3 | Scarica la scheda tecnica SI7460DP-T1-E3 | Produttore Vishay / Siliconix | |||
| Parti correlate per SI7460DP-T1-E3 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
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SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
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SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
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