| SI7846DP-T1-E3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SI7846DP-T1-E3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| quantità disponibile | 21298 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SI7846DP-T1-E3.pdf |
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| SI7846DP-T1-E3 Price |
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| Informazioni tecniche di SI7846DP-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI7846DP-T1-E3 | Categoria | |
| fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 | quantità disponibile | 21298 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 150 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | Numero di prodotto di base | SI7846 |
| SI7846DP-T1-E3 Dettagli PDF [English] | SI7846DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
SI7846DP-T1-E3
Introduzione
Il SI7846DP-T1-E3 è un Transistor N-Channel Singolo che funge da Semiconduttore Discreto.
Marca e Produttore
Prodotto da Vishay / Siliconix.
Caratteristiche
Funziona utilizzando la tecnologia MOSFET (Metal Oxide).
Appartiene alla serie TrenchFET.
Funziona a temperature comprese tra -55˚C e 150˚C (TJ).
Può essere montato su superficie.
Ha una potenza dissipata massima di 1.9W (Ta).
Incorporato in un pacchetto PowerPAK SO-8.
Prestazioni del Prodotto
La sorgente ha una tensione nominale di 150V.
Il drain ha una corrente costante di 4A a 25˚C.
Specifiche Tecniche
Resistenza massima tra Drain e Source: 50 mOhm a 5A, 10V.
Tensione di soglia del gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250A.
Carica massima del gate, Qg (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V.
Massima tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On): 10V.
Vgs massimo: ±20V.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Questo transistor è progettato in un pacchetto rettangolare PowerPAK SO-8 ed è montato su superficie. Il prodotto è fornito tramite imballaggio Digi-Reel.
Qualità e Affidabilità
Rinomato per la sua alta qualità costruttiva e affidabilità, questo transistor è realizzato da uno dei produttori di semiconduttori più rispettati al mondo, Vishay / Siliconix.
Vantaggi del Prodotto
I suoi principali vantaggi includono la capacità di operare a temperature fino a 150˚C e fino a -55˚C, così come la sua corrente di drain relativamente alta.
Competitività del Prodotto
Questo transistor offre alte prestazioni e operatività affidabile, rendendolo un'opzione competitiva nella sua categoria.
Compatibilità
La sua compatibilità corrisponde al suo tipo, ovvero Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
Certificazione e Conformità ai Standard
Il transistor SI7846DP-T1-E3 è conforme alle specifiche standard del settore per la sua categoria.
Durata e Sostenibilità
Questo componente offre una lunga durata e un'operatività sostenibile all'interno della sua gamma di temperatura operativa e altre condizioni specificate.
Campi di Applicazione Effettivi
Questo Transistor MOSFET è ampiamente utilizzato in vari dispositivi elettronici dove sono richiesti gestione dell'energia, amplificazione del segnale e regolazione della tensione.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SI7846DP-T1-E3 online.
| Azione SI7846DP-T1-E3 | Prezzo SI7846DP-T1-E3 | Elettronica SI7846DP-T1-E3 | |||
| Componenti SI7846DP-T1-E3 | Inventario SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 Digikey | |||
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| Immagine SI7846DP-T1-E3 | Immagine SI7846DP-T1-E3 | SI7846DP-T1-E3 PDF | |||
| Datasheet SI7846DP-T1-E3 | Scarica la scheda tecnica SI7846DP-T1-E3 | Produttore Vishay / Siliconix | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI7844DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7846DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7846DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7844DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7846DP-T1-E3 MOS | VISHAY QFN-8 | VISHAY | ||
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SI7846SAC | SI7846SAC VISHAY | VISHAY | ||
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SI7845DP-T1-GE3 | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
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