| SIE808DF-T1-E3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SIE808DF-T1-E3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| quantità disponibile | 2955 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SIE808DF-T1-E3.pdf |
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| SIE808DF-T1-E3 Price |
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| Informazioni tecniche di SIE808DF-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SIE808DF-T1-E3 | Categoria | |
| fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Pacchetto / caso | 10-PolarPAK® (L) | quantità disponibile | 2955 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (L) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | Contenitore / involucro | 10-PolarPAK® (L) |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | SIE808 | SIE808DF-T1-E3 Dettagli PDF [English] | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf |
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Modello del Prodotto
SIE808DF-T1-E3
Introduzione
MOSFET N-Channel ad Alte Prestazioni
Marca e Produttore
Vishay / Siliconix
Caratteristiche
Tecnologia TrenchFET, Alta Corrente di Drivaggio Continua di 60A, Bassa Resistenza di Accensione di 1.6 mOhm, Velocità di Commutazione Veloce
Prestazioni del Prodotto
Alta Efficienza con Ridotte Perdite di Potenza, Capacità di Gestione Termica
Specifiche Tecniche
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto 10-PolarPAK (L), Montaggio Superficiale, Imballaggio a nastro e bobina (TR)
Qualità e Affidabilità
Funziona a temperature da -55°C fino a 150°C
Vantaggi del Prodotto
Risparmio Energetico per Applicazioni ad Alta Densità di Potenza
Competitività del Prodotto
Leader di Mercato nei MOSFET di Potenza
Compatibilità
Compatibile con i Processi Standard di Montaggio Superficiale
Certificazione e Conformità ai Standard
Conformità agli Standard dell'Industria per MOSFET
Durata e Sostenibilità
Progettato per Affidabilità a Lungo Termine
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'Energia nei Computer, Infrastrutture di Telecomunicazioni, Applicazioni Industriali
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SIE808DF-T1-E3 online.
| Azione SIE808DF-T1-E3 | Prezzo SIE808DF-T1-E3 | Elettronica SIE808DF-T1-E3 | |||
| Componenti SIE808DF-T1-E3 | Inventario SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 Digikey | |||
| Fornitore SIE808DF-T1-E3 | Ordina SIE808DF-T1-E3 online | Inchiesta SIE808DF-T1-E3 | |||
| Immagine SIE808DF-T1-E3 | Immagine SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 PDF | |||
| Datasheet SIE808DF-T1-E3 | Scarica la scheda tecnica SIE808DF-T1-E3 | Produttore Vishay / Siliconix | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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