SIHG33N60E-GE3
Modello di prodotti SIHG33N60E-GE3
fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
quantità disponibile 3059 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf
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Informazioni tecniche di SIHG33N60E-GE3
codice articolo del costruttore SIHG33N60E-GE3 Categoria  
fabbricante Vishay / Siliconix Descrizione MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Pacchetto / caso TO-247AC quantità disponibile 3059 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) Contenitore / involucro TO-247-3
Pacchetto Tube temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3508 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)
Numero di prodotto di base SIHG33  
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Modello del Prodotto

SIHG33N60E-GE3

Introduzione

Si tratta di un MOSFET ad ioni di nichel N-Channel ad alta tensione e alta prestazione, progettato per varie applicazioni di potenza.

Marca e Produttore

Vishay Siliconix

Caratteristiche

Alta tensione tra sorgente e dreno, N-Channel per conduttività efficiente, capacità di gestire correnti continue elevate.

Prestazioni del Prodotto

Alta dissipazione di potenza di 278W, basso Rds On per efficienza energetica, robuste capacità di gestione termica.

Specifiche Tecniche

Tecnologia MOSFET, 600V di tensione tra dreno e sorgente, 33A di corrente di dreno continua.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Confezione TO-247AC, tipo di montaggio foro passante, fornito in tubi.

Qualità e Affidabilità

Senza piombo e conforme a RoHS, resiliente su ampi range di temperature operative.

Vantaggi del Prodotto

Alta capacità di gestione della tensione, funzionamento ad alta efficienza energetica, adatto per applicazioni ad alta densità di potenza.

Competitività del Prodotto

Offre un vantaggio competitivo negli applicazioni ad alta tensione.

Compatibilità

Compatibile con vari circuiti che richiedono MOSFET N-Channel.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme a RoHS per gli standard ambientali.

Durata e Sostenibilità

Progettato per affidabilità a lungo termine in condizioni gravose.

Campi di Applicazione Effettivi

Adatto per applicazioni di gestione della potenza nei settori informatici, automobilistici e dei sistemi industriali.

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