SIHG33N60E-GE3 | |
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Modello di prodotti | SIHG33N60E-GE3 |
fabbricante | Vishay Siliconix |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
quantità disponibile | 3059 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
SIHG33N60E-GE3 Price |
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Informazioni tecniche di SIHG33N60E-GE3 | |||
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codice articolo del costruttore | SIHG33N60E-GE3 | Categoria | |
fabbricante | Vishay / Siliconix | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Pacchetto / caso | TO-247AC | quantità disponibile | 3059 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-247AC |
Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 600 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Numero di prodotto di base | SIHG33 | ||
Scaricare | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf |
SIHG33N60E-GE3
Si tratta di un MOSFET ad ioni di nichel N-Channel ad alta tensione e alta prestazione, progettato per varie applicazioni di potenza.
Vishay Siliconix
Alta tensione tra sorgente e dreno, N-Channel per conduttività efficiente, capacità di gestire correnti continue elevate.
Alta dissipazione di potenza di 278W, basso Rds On per efficienza energetica, robuste capacità di gestione termica.
Tecnologia MOSFET, 600V di tensione tra dreno e sorgente, 33A di corrente di dreno continua.
Confezione TO-247AC, tipo di montaggio foro passante, fornito in tubi.
Senza piombo e conforme a RoHS, resiliente su ampi range di temperature operative.
Alta capacità di gestione della tensione, funzionamento ad alta efficienza energetica, adatto per applicazioni ad alta densità di potenza.
Offre un vantaggio competitivo negli applicazioni ad alta tensione.
Compatibile con vari circuiti che richiedono MOSFET N-Channel.
Conforme a RoHS per gli standard ambientali.
Progettato per affidabilità a lungo termine in condizioni gravose.
Adatto per applicazioni di gestione della potenza nei settori informatici, automobilistici e dei sistemi industriali.
Azione SIHG33N60E-GE3 | Prezzo SIHG33N60E-GE3 | Elettronica SIHG33N60E-GE3 | |||
Componenti SIHG33N60E-GE3 | Inventario SIHG33N60E-GE3 | SIHG33N60E-GE3 Digikey | |||
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Immagine SIHG33N60E-GE3 | Immagine SIHG33N60E-GE3 | SIHG33N60E-GE3 PDF | |||
Datasheet SIHG33N60E-GE3 | Scarica la scheda tecnica SIHG33N60E-GE3 | Produttore Vishay / Siliconix |
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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