2SK3878
Modello di prodotti 2SK3878
fabbricante TOS
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Schede tecniche
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Informazioni tecniche di 2SK3878
codice articolo del costruttore 2SK3878 Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante TOS Descrizione 2SK3878 TOS
Pacchetto / caso TO-3P quantità disponibile 8050 pcs
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Modello del Prodotto

2SK3878

Introduzione

Transistor MOSFET di tipo N

Marca e Produttore

TOS (Toshiba Semiconductor)

Caratteristiche

Commutazione ad alta velocità, basso corrente di pilotaggio, bassa resistenza ON drain-source, alta ammittanza di trasferimento in avanti

Prestazioni del Prodotto

Alta impedenza di ingresso, tempi di commutazione rapidi, capacità di gestione dell'energia migliorata

Specifiche Tecniche

Tensione drain-source (VDSS): 900V; Corrente continua drain (ID): 9A; Tensione gate-source (VGSS): ±30V; Resistenza ON drain-source (RDS[on]): 1.2Ω

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballaggio TO-3PN, tipo di montaggio attraverso il foro, imballaggio a tubo

Qualità e Affidabilità

Eccellente prestazione termica, alta tensione di rottura, stabilità e affidabilità a lungo termine in varie condizioni

Vantaggi del Prodotto

Adatto per applicazioni ad alta tensione, risparmio energetico grazie alla bassa resistenza ON, ottimizzato per circuiti ad alta velocità

Competitività del Prodotto

Prezzo competitivo per applicazioni di alimentazione e conversione

Compatibilità

Compatibile con driver e controllori MOSFET standard

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme agli standard JEDEC

Durata e Sostenibilità

Duraturo con lunga vita operativa, progettato per ridurre le perdite di potenza e garantire alta efficienza

Campi di Applicazione Effettivi

Unità di alimentazione, inverter di potenza, commutazione ad alta tensione, circuiti di controllo motore

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