2SK3868(Q,M)
Modello di prodotti 2SK3868(Q,M)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
quantità disponibile 2652 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di 2SK3868(Q,M)
codice articolo del costruttore 2SK3868(Q,M) Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Pacchetto / caso TO-220SIS quantità disponibile 2652 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Bulk temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Numero di prodotto di base 2SK3868  
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