2SK3868(Q,M) | |
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Modello di prodotti | 2SK3868(Q,M) |
fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
quantità disponibile | 2652 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.2SK3868(Q,M).pdf2.2SK3868(Q,M).pdf |
2SK3868(Q,M) Price |
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Informazioni tecniche di 2SK3868(Q,M) | |||
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codice articolo del costruttore | 2SK3868(Q,M) | Categoria | |
fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220SIS | quantità disponibile | 2652 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto | Bulk | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 500 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Numero di prodotto di base | 2SK3868 | ||
Scaricare | 2SK3868(Q,M) PDF - EN.pdf |
Azione 2SK3868(Q,M) | Prezzo 2SK3868(Q,M) | Elettronica 2SK3868(Q,M) | |||
Componenti 2SK3868(Q,M) | Inventario 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) Digikey | |||
Fornitore 2SK3868(Q,M) | Ordina 2SK3868(Q,M) online | Inchiesta 2SK3868(Q,M) | |||
Immagine 2SK3868(Q,M) | Immagine 2SK3868(Q,M) | 2SK3868(Q,M) PDF | |||
Datasheet 2SK3868(Q,M) | Scarica la scheda tecnica 2SK3868(Q,M) | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Parti correlate per 2SK3868(Q,M) | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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