Modello del Prodotto

CY7C1312BV18-200BZXC

Introduzione

Memoria SRAM ad alta velocità, con doppia velocità di trasferimento dati (QDR II)

Marca e Produttore

Infineon Technologies

Caratteristiche

Ampia capacità di archiviazione di 18 Mbit, funzionamento sincrono, tecnologia SRAM QDR II per prestazioni migliorate

Prestazioni del Prodotto

Frequenza di clock di 200 MHz per un accesso e un trasferimento dati rapidi, ampio intervallo di temperatura operativa (0°C ~ 70°C)

Specifiche Tecniche

Dimensione della memoria di 18 Mbit, organizzazione della memoria 1M x 18, interfaccia di memoria parallela

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Confezionamento da montaggio superficiale 165-LBGA, pacchetto del dispositivo del fornitore 165-FBGA (13x15)

Qualità e Affidabilità

Status del prodotto obsoleto che indica disponibilità o supporto limitato

Vantaggi del Prodotto

Soluzione efficace per sistemi legacy che richiedono tecnologia SRAM QDR II

Competitività del Prodotto

Una volta scelta competitiva per i requisiti di memoria ad alta velocità

Compatibilità

Progettato per applicazioni che richiedono interfaccia parallela e alte frequenze di clock

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme alle normative standard tipicamente richieste per i componenti elettronici

Durata e Sostenibilità

Limitato dallo status obsoleto, che influisce sulla sostenibilità e sul supporto a lungo termine

Campi di Applicazione Effettivi

Utilizzato in una varietà di sistemi elettronici che richiedono un accesso rapido alla memoria, come apparecchiature di networking e telecomunicazioni

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