IPG20N10S4L35ATMA1
Modello di prodotti IPG20N10S4L35ATMA1
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
quantità disponibile 4000 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
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Informazioni tecniche di IPG20N10S4L35ATMA1
codice articolo del costruttore IPG20N10S4L35ATMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET 2N-CH 8TDSON
Pacchetto / caso PG-TDSON-8-4 quantità disponibile 4000 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 16µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 17A, 10V Potenza - Max 43W
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1105pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A Configurazione 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base IPG20N  
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Modello del Prodotto

IPG20N10S4L35ATMA1

Introduzione

MOSFET N-Channel ad alte prestazioni

Marca e Produttore

International Rectifier (Infineon Technologies)

Caratteristiche

MOSFET di livello logico con configurazione Dual N-Channel; alta efficienza energetica e densità; qualificato AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche; ottimizzato per commutazioni rapide.

Prestazioni del Prodotto

Eccellente prestazione termica; ossido del gate robusto per alta affidabilità; elevata corrente di drenaggio continua di 20A.

Specifiche Tecniche

Tensione di drenaggio a sorgente (Vdss) di 100V; Rds On di 35 mOhm a 17A, 10V; carica del gate (Qg) di 17.4nC a 10V; capacità di ingresso (Ciss) di 1105pF a 25V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto 8-PowerVDFN (PG-TDSON-8-4); tecnologia di montaggio superficiale; imballaggio Tape & Reel (TR) per assemblaggio automatizzato.

Qualità e Affidabilità

Privo di piombo e conforme RoHS per la sostenibilità ambientale; certificato standard AEC-Q101 per l'elettronica automobilistica; progettato per una lunga affidabilità in condizioni difficili.

Vantaggi del Prodotto

Alta densità di potenza che consente design compatti; efficienza migliorata per ridurre le perdite energetiche; adatto per fonti di pilotaggio a livello logico.

Competitività del Prodotto

Rds On competitivo e alta corrente di drenaggio nella sua classe; adatto per applicazioni automobilistiche e industriali; forte supporto globale da Infineon Technologies.

Compatibilità

Compatibile con un'ampia gamma di tensioni di pilotaggio del gate; adatto per varie applicazioni di commutazione ad alta e bassa tensione.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme AEC-Q101 per i requisiti di affidabilità automobilistica; completamente conforme RoHS per gli standard ambientali.

Durata e Sostenibilità

Progettato per resistere a temperature estreme comprese tra -55°C e 175°C; progettato per un funzionamento a lungo termine e una durata elevata in ambienti impegnativi.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi automobilistici; gestione dell'energia industriale; alimentatori e convertitori; circuiti di controllo motore.

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