IPG20N06S4L14ATMA2
Modello di prodotti IPG20N06S4L14ATMA2
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
quantità disponibile 2666 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf2.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf3.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf4.IPG20N06S4L14ATMA2.pdf
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Informazioni tecniche di IPG20N06S4L14ATMA2
codice articolo del costruttore IPG20N06S4L14ATMA2 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Pacchetto / caso PG-TDSON-8-4 quantità disponibile 2666 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 13.7mOhm @ 17A, 10V Potenza - Max 50W
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 60V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A Configurazione 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base IPG20N  
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