SSM3J321T(TE85L,F)
Modello di prodotti SSM3J321T(TE85L,F)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
quantità disponibile 2516 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.SSM3J321T(TE85L,F).pdf2.SSM3J321T(TE85L,F).pdf
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Informazioni tecniche di SSM3J321T(TE85L,F)
codice articolo del costruttore SSM3J321T(TE85L,F) Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Pacchetto / caso TSM quantità disponibile 2516 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TSM
Serie U-MOSV Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)
Numero di prodotto di base SSM3J321  
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