| SSM3J325F,LF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J325F,LF |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI |
| quantità disponibile | 63000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SSM3J325F,LF.pdf |
| SSM3J325F,LF Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J325F,LF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J325F,LF | Categoria | |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI |
| Pacchetto / caso | S-Mini | quantità disponibile | 63000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | - | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini |
| Serie | U-MOSVI | Rds On (max) a Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | SSM3J325 | ||
| Scaricare | SSM3J325F,LF PDF - EN.pdf | ||
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| Azione SSM3J325F,LF | Prezzo SSM3J325F,LF | Elettronica SSM3J325F,LF | |||
| Componenti SSM3J325F,LF | Inventario SSM3J325F,LF | SSM3J325F,LF Digikey | |||
| Fornitore SSM3J325F,LF | Ordina SSM3J325F,LF online | Inchiesta SSM3J325F,LF | |||
| Immagine SSM3J325F,LF | Immagine SSM3J325F,LF | SSM3J325F,LF PDF | |||
| Datasheet SSM3J325F,LF | Scarica la scheda tecnica SSM3J325F,LF | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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