| IPG20N04S4L11AATMA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IPG20N04S4L11AATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
| quantità disponibile | 2631 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf2.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf3.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf4.IPG20N04S4L11AATMA1.pdf |
| IPG20N04S4L11AATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di IPG20N04S4L11AATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IPG20N04S4L11AATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
| Pacchetto / caso | PG-TDSON-8-10 | quantità disponibile | 2631 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 15µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11.6mOhm @ 17A, 10V | Potenza - Max | 41W |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Configurazione | 2 N-Channel (Dual) |
| Numero di prodotto di base | IPG20N | ||
| Scaricare | IPG20N04S4L11AATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
IPG20N04S4L11AATMA1
Introduzione
MOSFET a livello logico a canale N
Marca e Produttore
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caratteristiche
MOSFET Dual a Canale N
Comando a Livello Logico
Qualificato AEC-Q101 per Applicazioni Automotive
Privo di Piombo e Conforme RoHS
Tecnologia OptiMOS per Ottimizzazione delle Prestazioni
Prestazioni del Prodotto
Elevata capacità di corrente: 20A in scarico continuo
Bassa resistenza on: 11.6 mOhm
Prestazioni termiche migliorate
Specifiche Tecniche
Tensione di scarico a sorgente: 40V
Carica del Gate: 26nC
Capacità di ingresso: 1990pF
Potenza massima: 41W
Rds On: 11.6 mOhm
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Imballaggio: 8-PowerVDFN
Tipo di montaggio: Montaggio Superficiale
Imballaggio: Nastro e Bobina
Qualità e Affidabilità
Intervallo di temperatura operativa: -55°C a 175°C
Adatto per ambienti automotive difficili
Vantaggi del Prodotto
Alta efficienza con bassa dissipazione di potenza
Imballaggio compatto PG-TDSON-8 per risparmio di spazio
Competitività del Prodotto
Prezzi competitivi
Durabile e affidabile secondo gli standard dell'industria automotive
Compatibilità
Compatibile con montaggio superficiale e footprint PG-TDSON-8
Certificazione e Conformità ai Standard
Certificato AEC-Q101
Conforme RoHS
Durata e Sostenibilità
Progettato per una lunga affidabilità nelle applicazioni automotive
Campi di Applicazione Effettivi
Elettronica Automotive
Sistemi di gestione dell'energia
Convertitori DC-DC
Motori
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IPG20N04S4L11AATMA1 online.
| Azione IPG20N04S4L11AATMA1 | Prezzo IPG20N04S4L11AATMA1 | Elettronica IPG20N04S4L11AATMA1 | |||
| Componenti IPG20N04S4L11AATMA1 | Inventario IPG20N04S4L11AATMA1 | IPG20N04S4L11AATMA1 Digikey | |||
| Fornitore IPG20N04S4L11AATMA1 | Ordina IPG20N04S4L11AATMA1 online | Inchiesta IPG20N04S4L11AATMA1 | |||
| Immagine IPG20N04S4L11AATMA1 | Immagine IPG20N04S4L11AATMA1 | IPG20N04S4L11AATMA1 PDF | |||
| Datasheet IPG20N04S4L11AATMA1 | Scarica la scheda tecnica IPG20N04S4L11AATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per IPG20N04S4L11AATMA1 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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IPG20N04S4L08ATMA1 | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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IPG20N04S4L-08 | IPG20N04S4L-08 INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N06S2L-35A | IPG20N06S2L-35A INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N06S2L-35 MOS | INFINEON QFN | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L08AATMA1 | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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IPG20N04S4L18AATMA1 | MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
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IPG20N06S2L-35 | IPG20N06S2L-35 INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L-07A | INFINEON TDSON-8 | INFINEON | ||
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IPG20N06S2L-14 | IPG20N06S2L-14 INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L07AATMA1 | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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IPG20N06S2L-65 | IPG20N06S2L-65 INFINEO | INFINEO | ||
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IPG20N06S2L-50A | IPG20N06S2L-50A INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L07ATMA1 | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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IPG20N04S4L-11 | INFINEON | |||
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IPG20N06S2L-35AATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
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IPG20N04S4L-11A | IPG20N04S4L-11A INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L-80A | INFINEON TDSON-8 | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L11ATMA1 | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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IPG20N06S2L-50 | IPG20N06S2L-50 INFINEON | INFINEON | ||
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IPG20N04S4L-08A | INFINEON | |||
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