| IPG20N06S2L35ATMA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IPG20N06S2L35ATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
| quantità disponibile | 31000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf2.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf3.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf4.IPG20N06S2L35ATMA1.pdf |
| IPG20N06S2L35ATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di IPG20N06S2L35ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IPG20N06S2L35ATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
| Pacchetto / caso | PG-TDSON-8-4 | quantità disponibile | 31000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 27µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 | Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V | Potenza - Max | 65W |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A | Configurazione | 2 N-Channel (Dual) |
| Numero di prodotto di base | IPG20N | ||
| Scaricare | IPG20N06S2L35ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Azione IPG20N06S2L35ATMA1 | Prezzo IPG20N06S2L35ATMA1 | Elettronica IPG20N06S2L35ATMA1 | |||
| Componenti IPG20N06S2L35ATMA1 | Inventario IPG20N06S2L35ATMA1 | IPG20N06S2L35ATMA1 Digikey | |||
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| Immagine IPG20N06S2L35ATMA1 | Immagine IPG20N06S2L35ATMA1 | IPG20N06S2L35ATMA1 PDF | |||
| Datasheet IPG20N06S2L35ATMA1 | Scarica la scheda tecnica IPG20N06S2L35ATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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