IPG20N06S3L-23
Modello di prodotti IPG20N06S3L-23
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
quantità disponibile 2745 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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codice articolo del costruttore IPG20N06S3L-23 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Pacchetto / caso PG-TDSON-8-4 quantità disponibile 2745 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 20µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 16A, 10V Potenza - Max 45W
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 55V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A Configurazione 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base IPG20N IPG20N06S3L-23 Dettagli PDF [English] IPG20N06S3L-23 PDF - EN.pdf
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