SSM3J09FU,LF
Modello di prodotti SSM3J09FU,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 200MA USM
quantità disponibile 9771 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di SSM3J09FU,LF
codice articolo del costruttore SSM3J09FU,LF Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 30V 200MA USM
Pacchetto / caso USM quantità disponibile 9771 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 100µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore USM
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) Contenitore / involucro SC-70, SOT-323
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22 pF @ 5 V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) Numero di prodotto di base SSM3J09
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Azione SSM3J09FU,LFPrezzo SSM3J09FU,LFElettronica SSM3J09FU,LF
Componenti SSM3J09FU,LFInventario SSM3J09FU,LFSSM3J09FU,LF Digikey
Fornitore SSM3J09FU,LFOrdina SSM3J09FU,LF online Inchiesta SSM3J09FU,LF
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Datasheet SSM3J09FU,LFScarica la scheda tecnica SSM3J09FU,LFProduttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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