| SSM3J114TU(TE85L) | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J114TU(TE85L) |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| quantità disponibile | 2627 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SSM3J114TU(TE85L).pdf2.SSM3J114TU(TE85L).pdf |
| SSM3J114TU(TE85L) Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J114TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J114TU(TE85L) | Categoria | |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Pacchetto / caso | UFM | quantità disponibile | 2627 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | UFM |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 149mOhm @ 600mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | SSM3J114 | ||
| Scaricare | SSM3J114TU(TE85L) PDF - EN.pdf | ||
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| Datasheet SSM3J114TU(TE85L) | Scarica la scheda tecnica SSM3J114TU(TE85L) | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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