Modello del Prodotto

SSM3J109TU(TE85L)

Introduzione

Un circuito integrato specializzato progettato per applicazioni specifiche, sviluppato da Toshiba Semiconductor e Storage.

Marca e Produttore

Toshiba Semiconductor e Storage

Caratteristiche

Bassa resistenza in conduzione, commutazione ad alta velocità, bassa carica di gate, basso requisito di corrente di pilotaggio.

Prestazioni del Prodotto

Prestazioni efficienti grazie alla bassa resistenza in conduzione e alle capacità di commutazione ad alta velocità. Operazione stabile in un ampio intervallo di temperature.

Specifiche Tecniche

Power MOSFET, N-Channel, Singolo. Tensione Drain to Source (Vdss): 100V. Corrente Drain Continuo (Id): 1A. Dissipazione di potenza: 1W. Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto compatto per montaggio superficiale. Pacchetto: SOT-416FL. Dimensioni: 2mm x 1.25mm x 0.98mm.

Qualità e Affidabilità

Progettato per la longevità e prestazioni stabili in varie condizioni elettriche e ambientali.

Vantaggi del Prodotto

Ottimizzato per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Migliora l'efficienza complessiva dei circuiti elettronici.

Competitività del Prodotto

Vantaggio competitivo in applicazioni che richiedono basse perdite di potenza e alta efficienza.

Compatibilità

Compatibile con le tecniche standard di assemblaggio dei circuiti esistenti.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme ai principali standard internazionali elettronici e ambientali.

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga vita operativa con minima degradazione nel tempo. Componenti e imballaggi ecocompatibili.

Campi di Applicazione Effettivi

Applicazioni di gestione dell'energia, convertitori DC/DC, interruttori di carico, sistemi di gestione delle batterie.

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