SSM3J15FV,L3F
Modello di prodotti SSM3J15FV,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
quantità disponibile 2561 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di SSM3J15FV,L3F
codice articolo del costruttore SSM3J15FV,L3F Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Pacchetto / caso VESM quantità disponibile 2561 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1.7V @ 100µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore VESM
Serie π-MOSVI Rds On (max) a Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) Contenitore / involucro SOT-723
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.1 pF @ 3 V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Tensione drain-source (Vdss) 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) Numero di prodotto di base SSM3J15
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Azione SSM3J15FV,L3FPrezzo SSM3J15FV,L3FElettronica SSM3J15FV,L3F
Componenti SSM3J15FV,L3FInventario SSM3J15FV,L3FSSM3J15FV,L3F Digikey
Fornitore SSM3J15FV,L3FOrdina SSM3J15FV,L3F online Inchiesta SSM3J15FV,L3F
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Datasheet SSM3J15FV,L3FScarica la scheda tecnica SSM3J15FV,L3FProduttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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