| SSM3J168F,LF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J168F,LF |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| quantità disponibile | 2519 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SSM3J168F,LF.pdf |
| SSM3J168F,LF Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J168F,LF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J168F,LF | Categoria | |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Pacchetto / caso | SOT-23-3 | quantità disponibile | 2519 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Serie | U-MOSVI | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
| Numero di prodotto di base | SSM3J168 | ||
| Scaricare | SSM3J168F,LF PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
SSM3J168F,LF
Introduzione
MOSFET a canale P progettato per la gestione e il commutazione della potenza.
Marca e Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Caratteristiche
Canale P, 60V, 400mA; Basso resistenza di conduzione; Alta velocità di commutazione; Basso voltaggio di guida
Prestazioni del Prodotto
Dissipazione di potenza di 1,2W; Alta affidabilità durante la commutazione ad alta velocità; Basso carico di gate per un'operazione efficiente
Specifiche Tecniche
Tensione drain-source (Vds) di 60V; Corrente drain (Id) di 400mA; Resistenza statica drain-source di conduzione (Rds(on)) di 1,9 Ohm a 100mA, 4,5V; Carico di gate (Qg) di 82pF a 10V; Carico totale di gate (Qg) di 3nC; Tensione di soglia gate-source (Vgs(th)) di 2V a 1mA; Tensione gate-source massima (Vgs) di 20V; Tensione gate-source inversa massima (Vgs) di -16V
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Confezione TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Fornito in bobina per assemblaggio automatizzato; Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1
Qualità e Affidabilità
Senza piombo e conforme alla normativa RoHS; Alta resistenza all'umidità
Vantaggi del Prodotto
Prestazioni termiche migliorate per dimensioni ridotte; Adatto per applicazioni con guida a bassa tensione
Competitività del Prodotto
Capacità di commutazione ad alta velocità; Operazione a basso consumo energetico
Compatibilità
Compatibile con la tecnologia di montaggio superficiale (SMT)
Certificazione e Conformità ai Standard
Conforme alla normativa senza piombo/RoHS
Durata e Sostenibilità
Progettato per affidabilità a lungo termine; Materiali e processi di produzione rispettosi dell'ambiente
Campi di Applicazione Effettivi
Sistemi di gestione della potenza; Applicazioni di commutazione; Dispositivi portatili; Fonti di alimentazione
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| Azione SSM3J168F,LF | Prezzo SSM3J168F,LF | Elettronica SSM3J168F,LF | |||
| Componenti SSM3J168F,LF | Inventario SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF Digikey | |||
| Fornitore SSM3J168F,LF | Ordina SSM3J168F,LF online | Inchiesta SSM3J168F,LF | |||
| Immagine SSM3J168F,LF | Immagine SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF PDF | |||
| Datasheet SSM3J168F,LF | Scarica la scheda tecnica SSM3J168F,LF | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
| Parti correlate per SSM3J168F,LF | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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