| SSM3J168F,LXHF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J168F,LXHF |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| quantità disponibile | 1173 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SSM3J168F,LXHF.pdf |
| SSM3J168F,LXHF Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J168F,LXHF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J168F,LXHF | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Pacchetto / caso | S-Mini | quantità disponibile | 1173 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | S-Mini |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
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| Azione SSM3J168F,LXHF | Prezzo SSM3J168F,LXHF | Elettronica SSM3J168F,LXHF | |||
| Componenti SSM3J168F,LXHF | Inventario SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF Digikey | |||
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| Immagine SSM3J168F,LXHF | Immagine SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF PDF | |||
| Datasheet SSM3J168F,LXHF | Scarica la scheda tecnica SSM3J168F,LXHF | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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