Modello del Prodotto

SSM3J328R.LF

Introduzione

Transistor a effetto di campo in silicio P-Channel di tipo enhancement.

Marca e Produttore

Toshiba Semiconduttori e Stoccaggio.

Caratteristiche

Bassa resistenza on del drain-source, commutazione ad alta velocità, piccolo pacchetto di montaggio superficiale, montaggio ad alta densità.

Prestazioni del Prodotto

Bassa tensione di saturazione, consumo energetico ridotto, eccellente linearità.

Specifiche Tecniche

MOSFET P-Channel, Tensione Drain-Source (Vdss): -30V, Corrente Drain Continua (Id): -6A, Dissipazione di potenza (Pd): 1.5W, RDS(on) Max @ Id, Vgs: 45 mOhms @ -4.5A, -10V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto SOT-23F, compatto e leggero.

Qualità e Affidabilità

Qualità Toshiba comprovata, alta affidabilità.

Vantaggi del Prodotto

Risparmio energetico, design salvaspazio, prestazioni termiche superiori.

Competitività del Prodotto

Prezzi competitivi, ampiamente applicabile a diversi circuiti.

Compatibilità

Compatibile con altri MOSFET P-Channel in pacchetti simili.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme RoHS, soddisfa gli standard del settore per qualità e sicurezza.

Durata e Sostenibilità

Durevole con una lunga vita operativa, materiali ecologici.

Campi di Applicazione Effettivi

Applicazioni di gestione dell'energia, interruttori di carico, sistemi di gestione della batteria, circuiti convertitori.

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