Modello del Prodotto

SSM3J331R

Introduzione

MOSFET di potenza, Canale P

Marca e Produttore

Toshiba Semiconductor e Storage

Caratteristiche

Modalità di miglioramento del canale P, commutazione ad alta velocità, bassa resistenza ON, bassa carica del gate, adatto per montaggio ad alta densità

Prestazioni del Prodotto

Tensione di pilotaggio di 2,5 V, bassa carica di uscita, controllo ad alta corrente

Specifiche Tecniche

V_DSS = -30 V, I_D = -6 A, R_DS(ON) = 52 mΩ (tipico) a V_GS = -4.5 V, R_DS(ON) = 68 mΩ (tipico) a V_GS = -2.5 V, dissipazione di potenza: 1.5 W

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Involucro molto piccolo e sottile, involucro SOT-23F, confezionamento a bobina per assemblaggio automatico

Qualità e Affidabilità

Alta affidabilità, resistenza a commutazioni ripetute

Vantaggi del Prodotto

Componente a risparmio energetico, contribuisce a un minore consumo di energia

Competitività del Prodotto

Prezzi competitivi nella categoria MOSFET P-Channel, soddisfa le esigenze di maggiore efficienza nella gestione dell'energia

Compatibilità

Compatibile con molte applicazioni a livello logico standard

Certificazione e Conformità ai Standard

Conformità RoHS, privo di alogeni

Durata e Sostenibilità

Progettato per un funzionamento a lungo termine, contribuisce a design energeticamente efficienti

Campi di Applicazione Effettivi

Applicazioni di gestione dell'energia, interruttore di carico, interruttore per batterie, convertitori DC/DC, circuiti di alimentazione

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