| SSM3J331R,LF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J331R,LF |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F |
| quantità disponibile | 23000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SSM3J331R,LF.pdf2.SSM3J331R,LF.pdf |
| SSM3J331R,LF Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J331R,LF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J331R,LF | Categoria | |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F |
| Pacchetto / caso | SOT-23F | quantità disponibile | 23000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23F |
| Serie | U-MOSVI | Rds On (max) a Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) | Contenitore / involucro | SOT-23-3 Flat Leads |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | SSM3J331 | ||
| Scaricare | SSM3J331R,LF PDF - EN.pdf | ||
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| Azione SSM3J331R,LF | Prezzo SSM3J331R,LF | Elettronica SSM3J331R,LF | |||
| Componenti SSM3J331R,LF | Inventario SSM3J331R,LF | SSM3J331R,LF Digikey | |||
| Fornitore SSM3J331R,LF | Ordina SSM3J331R,LF online | Inchiesta SSM3J331R,LF | |||
| Immagine SSM3J331R,LF | Immagine SSM3J331R,LF | SSM3J331R,LF PDF | |||
| Datasheet SSM3J331R,LF | Scarica la scheda tecnica SSM3J331R,LF | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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