| TP65H035WSQA | |
|---|---|
| Modello di prodotti | TP65H035WSQA |
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 |
| quantità disponibile | 367 pcs in stock |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | TP65H035WSQA.pdf |
| TP65H035WSQA Price |
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| Informazioni tecniche di TP65H035WSQA | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | TP65H035WSQA | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Transphorm | Descrizione | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 | quantità disponibile | 367 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (max) a Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 187W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 47.2A (Tc) | Numero di prodotto di base | TP65H035 |
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| Azione TP65H035WSQA | Prezzo TP65H035WSQA | Elettronica TP65H035WSQA | |||
| Componenti TP65H035WSQA | Inventario TP65H035WSQA | TP65H035WSQA Digikey | |||
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| Immagine TP65H035WSQA | Immagine TP65H035WSQA | TP65H035WSQA PDF | |||
| Datasheet TP65H035WSQA | Scarica la scheda tecnica TP65H035WSQA | Produttore Transphorm | |||
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