| TP65H070G4PS | |
|---|---|
| Modello di prodotti | TP65H070G4PS |
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | GANFET N-CH 650V 29A TO220 |
| quantità disponibile | Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
| TP65H070G4PS Price |
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| Informazioni tecniche di TP65H070G4PS | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | TP65H070G4PS | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Transphorm | Descrizione | GANFET N-CH 650V 29A TO220 |
| Pacchetto / caso | TO-220AB | quantità disponibile | Available Stock |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.7V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Serie | SuperGaN® | Rds On (max) a Id, Vgs | 85mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 638 pF @ 400 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
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| Azione TP65H070G4PS | Prezzo TP65H070G4PS | Elettronica TP65H070G4PS | |||
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