| TP65H050G4WS | |
|---|---|
| Modello di prodotti | TP65H050G4WS |
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | 650 V 34 A GAN FET |
| quantità disponibile | 369 pcs in stock |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
| TP65H050G4WS Price |
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| Informazioni tecniche di TP65H050G4WS | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | TP65H050G4WS | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Transphorm | Descrizione | 650 V 34 A GAN FET |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 | quantità disponibile | 369 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.8V @ 700µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Serie | SuperGaN® | Rds On (max) a Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 119W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | TP65H050 |
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| Azione TP65H050G4WS | Prezzo TP65H050G4WS | Elettronica TP65H050G4WS | |||
| Componenti TP65H050G4WS | Inventario TP65H050G4WS | TP65H050G4WS Digikey | |||
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| Immagine TP65H050G4WS | Immagine TP65H050G4WS | TP65H050G4WS PDF | |||
| Datasheet TP65H050G4WS | Scarica la scheda tecnica TP65H050G4WS | Produttore Transphorm | |||
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