Modello del Prodotto

SSM3J338R

Introduzione

MOSFET al passaggio per applicazioni di commutazione

Marca e Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Caratteristiche

MOSFET a canale N, Basso RDS(ON), Basso carico del gate, Commutazione ad alta velocità

Prestazioni del Prodotto

Gestione efficiente dell'energia, Operazione stabile su un ampio intervallo di temperature

Specifiche Tecniche

Massime tensioni (VDSS, VGSS), corrente di drenaggio (ID), potenza dissipata (PD), RDS(ON), Carico del gate (Qg), Capacità d'ingresso (Ciss)

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto a profilo ridotto SOT-23, Montabile a superficie, Profilo leggero e sottile

Qualità e Affidabilità

Prova qualità Toshiba, Ampiamente testato per la durata, Lunga durata operativa con degrado minimo

Vantaggi del Prodotto

Risparmio energetico, Piccolo ingombro sui circuiti stampati, Facile integrazione in vari circuiti

Competitività del Prodotto

Prezzo competitivo, Prestazioni superiori nella sua categoria, Ampiamente accettato nell'industria

Compatibilità

Adatto a una vasta gamma di applicazioni di potenza, Compatibile con circuiti di controllo comunemente usati

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme agli standard di certificazione industriali, Compatibile con la direttiva RoHS, Rispetta gli standard internazionali di sicurezza

Durata e Sostenibilità

Affidabilità a lungo termine, Progettato per l'uso sostenibile, Rispetta gli standard ecologici

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di gestione dell'alimentazione, Caricatori di batteria, Convertitori DC/DC, Controllo dei motori, Elettronica di consumo

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