SSM3J353F,LF
Modello di prodotti SSM3J353F,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
quantità disponibile 2521 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di SSM3J353F,LF
codice articolo del costruttore SSM3J353F,LF Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Pacchetto / caso S-Mini quantità disponibile 2521 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) +20V, -25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore S-Mini
Serie U-MOSVI Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 159 pF @ 15 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Numero di prodotto di base SSM3J353  
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Componenti SSM3J353F,LFInventario SSM3J353F,LFSSM3J353F,LF Digikey
Fornitore SSM3J353F,LFOrdina SSM3J353F,LF online Inchiesta SSM3J353F,LF
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Datasheet SSM3J353F,LFScarica la scheda tecnica SSM3J353F,LFProduttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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