| SSM3J356R | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J356R |
| fabbricante | TOSHIBA |
| Descrizione | SSM3J356R TOSHIBA |
| quantità disponibile | 3397 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| SSM3J356R Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J356R | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J356R | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | SSM3J356R TOSHIBA |
| Pacchetto / caso | quantità disponibile | 3397 pcs | |
| Pacchetto | SOT-23F | Condtion | New Original Stock |
| Garanzia | 100% Perfect Functions | Tempi di consegna | 2-3days after payment. |
| Pagamento | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Spedizione entro | DHL / Fedex / UPS |
| Porta | HongKong | Email RFQ | |
| SSM3J356R Dettagli PDF [English] | SSM3J356R PDF - EN.pdf | ||
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Modello del Prodotto
SSM3J356R
Introduzione
Lo SSM3J356R è un Circuito Integrato progettato per applicazioni specializzate.
Marca e Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Caratteristiche
FET MOS a canale N
Basso RDS(on): resistenza tra sorgente e drenaggio
Commutazione ad alta velocità
Confezione a montaggio superficiale
Riduzione del consumo di potenza
Prestazioni del Prodotto
Gestione efficiente dell'energia
Alta affidabilità e stabilità
Ottimizzato per operazioni a bassa tensione
Prestazioni costanti su un'ampia gamma di temperature
Specifiche Tecniche
Valori RDS(on)
Tensione di soglia del gate
Tensione sorgente-drenaggio
Corrente continua di drenaggio
Dissipazione di potenza totale
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Dimensioni compatte
Tipo di confezione a montaggio superficiale
Fornito su bobina per l'assemblaggio automatizzato
Dimensioni standard dei componenti per l'integrazione su scheda circuito
Qualità e Affidabilità
Prodotta da Toshiba, un leader nel settore dei semiconduttori
Conforme agli standard qualitativi dell'industria
Robusta contro stress elettrico e termico
Stabilità operativa a lungo termine
Vantaggi del Prodotto
Alta efficienza energetica
Basso RDS(on) aiuta a minimizzare le perdite di potenza
Adatto per layout di PCB ad alta densità
Facile da integrare con progetti esistenti
Competitività del Prodotto
Competitivo con altri FET MOS a canale N sul mercato
Attraente per applicazioni sensibili al costo grazie alla scala di produzione di Toshiba
Potenziale per ridurre i costi complessivi del sistema
Compatibilità
Compatibile con processi di saldatura SMD standard
Integra un'ampia gamma di circuiti elettronici e prodotti
Certificazione e Conformità ai Standard
Conformità alla direttiva RoHS e ad altre direttive ambientali
Ottiene le certificazioni standard del settore per IC specializzati
Durata e Sostenibilità
Duratura in operazioni a lungo termine
Progettata per applicazioni ad alta efficienza energetica, contribuendo alla sostenibilità
Campi di Applicazione Effettivi
Sistemi di gestione dell'energia
Convertitori DC-DC
Dispositivi alimentati a batteria
Commutatori di carico
Alimentatori a elevata efficienza energetica
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SSM3J356R online.
| Azione SSM3J356R | Prezzo SSM3J356R | Elettronica SSM3J356R |
| Componenti SSM3J356R | Inventario SSM3J356R | SSM3J356R Digikey |
| Fornitore SSM3J356R | Ordina SSM3J356R online | Inchiesta SSM3J356R |
| Immagine SSM3J356R | Immagine SSM3J356R | SSM3J356R PDF |
| Datasheet SSM3J356R | Scarica la scheda tecnica SSM3J356R | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
