SSM3J35AMFV,L3F
Modello di prodotti SSM3J35AMFV,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
quantità disponibile 2542 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di SSM3J35AMFV,L3F
codice articolo del costruttore SSM3J35AMFV,L3F Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Pacchetto / caso VESM quantità disponibile 2542 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA Vgs (Max) ±10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore VESM
Serie U-MOSVII Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) Contenitore / involucro SOT-723
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 42 pF @ 10 V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta) Numero di prodotto di base SSM3J35
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Componenti SSM3J35AMFV,L3FInventario SSM3J35AMFV,L3FSSM3J35AMFV,L3F Digikey
Fornitore SSM3J35AMFV,L3FOrdina SSM3J35AMFV,L3F online Inchiesta SSM3J35AMFV,L3F
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Datasheet SSM3J35AMFV,L3FScarica la scheda tecnica SSM3J35AMFV,L3FProduttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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