SSM3J358R,LF
Modello di prodotti SSM3J358R,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di SSM3J358R,LF
codice articolo del costruttore SSM3J358R,LF Categoria  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Descrizione MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Pacchetto / caso SOT-23F quantità disponibile 2658 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA Vgs (Max) ±10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore SOT-23F
Serie U-MOSVII Rds On (max) a Id, Vgs 22.1mOhm @ 6A, 8V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Contenitore / involucro SOT-23-3 Flat Leads
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1331 pF @ 10 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.5 nC @ 8 V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Numero di prodotto di base SSM3J358  
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Datasheet SSM3J358R,LFScarica la scheda tecnica SSM3J358R,LFProduttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
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