| SSM3J35CT,L3F | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SSM3J35CT,L3F |
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| quantità disponibile | 2568 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SSM3J35CT,L3F.pdf |
| SSM3J35CT,L3F Price |
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| Informazioni tecniche di SSM3J35CT,L3F | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SSM3J35CT,L3F | Categoria | |
| fabbricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| Pacchetto / caso | CST3 | quantità disponibile | 2568 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | CST3 |
| Serie | π-MOSVI | Rds On (max) a Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) | Contenitore / involucro | SC-101, SOT-883 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V | Tensione drain-source (Vdss) | 20 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | Numero di prodotto di base | SSM3J35 |
| Scaricare | SSM3J35CT,L3F PDF - EN.pdf | ||
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| Azione SSM3J35CT,L3F | Prezzo SSM3J35CT,L3F | Elettronica SSM3J35CT,L3F | |||
| Componenti SSM3J35CT,L3F | Inventario SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F Digikey | |||
| Fornitore SSM3J35CT,L3F | Ordina SSM3J35CT,L3F online | Inchiesta SSM3J35CT,L3F | |||
| Immagine SSM3J35CT,L3F | Immagine SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F PDF | |||
| Datasheet SSM3J35CT,L3F | Scarica la scheda tecnica SSM3J35CT,L3F | Produttore TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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