Si3865DV-T1-GE3
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codice articolo del costruttore Si3865DV-T1-GE3 Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante VPG Sensors Descrizione Si3865DV-T1-GE3 VISHAY
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Modello del Prodotto

Si3865DV-T1-GE3

Introduzione

Microchip Mosfet progettato per una gestione efficiente dell'energia

Marca e Produttore

Vishay Siliconix

Caratteristiche

Bassa resistenza on, commutazione ad alta velocità, carica del gate minimizzata, bassa tensione di soglia

Prestazioni del Prodotto

Capacità di gestione dell'energia migliorata, operatività stabile su un ampio intervallo di temperature

Specifiche Tecniche

P-Channel -30V -3.7A (Ta), MOSFET PowerTrench, Montaggio superficiale

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Involucro SOT-23-6, design piccolo e compatto, imballaggio standard in nastro e bobina per SMT

Qualità e Affidabilità

Qualità e affidabilità comprovate Vishay, qualificato AEC-Q101, prestazioni estese a temperature elevate

Vantaggi del Prodotto

Funzionamento energeticamente efficiente, impronta termica ridotta, robustezza contro cicli di commutazione frequenti

Competitività del Prodotto

Prezzi competitivi per soluzioni di gestione dell'energia, prestazioni superiori in applicazioni leggere

Compatibilità

Compatibile con i processi SMT comuni, versatile per vari circuiti elettronici

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme RoHS, certificato AEC-Q101, rispetta le certificazioni standard di settore

Durata e Sostenibilità

Lunga durata operativa in condizioni raccomandate, componente privo di piombo (Pb) e privo di alogeni

Campi di Applicazione Effettivi

Gestione dell'energia per dispositivi portatili, elettronica a batteria, convertitori DC/DC, applicazioni di commutazione di carico

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