SI3879DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3879DV-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
quantità disponibile 2601 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche
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Informazioni tecniche di SI3879DV-T1-GE3
codice articolo del costruttore SI3879DV-T1-GE3 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay Descrizione MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 2601 pcs
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP
Serie LITTLE FOOT® Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
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