SI3879DV-T1-GE3 | |
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Modello di prodotti | SI3879DV-T1-GE3 |
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
quantità disponibile | 2601 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | |
SI3879DV-T1-GE3 Price |
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Informazioni tecniche di SI3879DV-T1-GE3 | |||
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codice articolo del costruttore | SI3879DV-T1-GE3 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
Pacchetto / caso | Tape & Reel (TR) | quantità disponibile | 2601 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | LITTLE FOOT® | Rds On (max) a Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) | ||
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Azione SI3879DV-T1-GE3 | Prezzo SI3879DV-T1-GE3 | Elettronica SI3879DV-T1-GE3 | |||
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Datasheet SI3879DV-T1-GE3 | Scarica la scheda tecnica SI3879DV-T1-GE3 | Produttore Electro-Films (EFI) / Vishay |
Parti correlate per SI3879DV-T1-GE3 | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI3905DV-T1 | SI3905DV-T1 ROHM | ROHM | ||
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SI3900DV | SI3900DV VISHAY | VISHAY | ||
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SI3867 | VISHAY | |||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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Si3900DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3867DV-T1-GE3 MOS | VBSEMI TSOP6 | VBSEMI | ||
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SI3865DV-TI | VISHAY | |||
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SI3867DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3867DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3905DV-T1 IC | SILICONIX SOT163 | SILICONIX |
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